### K1195-VB 产品简介
K1195-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，专为中等电压和高电流应用而设计。其最大漏源电压 (VDS) 为 200V，适用于多种电源管理和开关电路。K1195-VB 的门限电压 (Vth) 为 3V，确保在较低的栅源电压下实现快速导通，增强开关效率。该 MOSFET 在 VGS 为 10V 时的导通电阻 (RDS(ON)) 为 245mΩ，支持最大 10A 的漏极电流 (ID)，使其能够高效地处理功率转换。凭借其 Trench 技术，K1195-VB 提供卓越的性能与热管理，适合高要求的电力电子应用。
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### 详细参数说明
- **型号**: K1195-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道 MOSFET
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 245mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术类型**: Trench
- **最大功耗 (PD)**: 45W
- **热阻 (RθJC)**: 3.5°C/W
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
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### 应用领域与模块说明
1. **电源管理系统**: K1195-VB 广泛应用于开关电源 (SMPS) 和电源适配器中，提供稳定的电压输出和高效的功率转换，适合消费电子产品和工业设备的电源模块。
2. **电动机驱动**: 该 MOSFET 可用于直流电动机和步进电动机的驱动电路中，支持高达 10A 的电流输出，适用于家用电器、机器人和自动化设备的控制。
3. **LED 照明**: K1195-VB 在 LED 驱动电路中表现出色，能够提供稳定的电流控制，确保 LED 灯具的高效能和长寿命，适合商业和住宅照明应用。
4. **逆变器**: 该 MOSFET 适用于逆变器设计中，能够高效地将直流电转换为交流电，广泛应用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风能发电系统。
5. **高频开关电路**: K1195-VB 的低导通电阻和快速开关特性使其适合高频开关应用，广泛用于通信设备和数据中心电源管理，确保系统的高效运作和响应速度。
