**一、产品简介：**
K1194-VB 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，采用 TO252 封装设计，专为中等电压和电流应用而优化。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为 200V，适合在需要高电压耐受的环境中运行。最大栅源电压 (VGS) 为 ±20V，确保其在多种工作条件下的稳定性。K1194-VB 的阈值电压 (Vth) 为 3V，导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS 为 10V 时为 245mΩ，提供良好的电流导通能力并降低功耗。这款 MOSFET 采用 Trench 技术，保证其在高频率和高温环境中的可靠性与高效性，适合多种电力电子应用。
**二、详细参数说明：**
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**：200V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：245mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：10A
- **技术**：Trench
**三、适用领域和模块举例：**
1. **开关电源**：K1194-VB 广泛应用于开关电源设计中，能够在高电压和中等电流条件下高效运行，适合于消费电子产品、电源适配器及电动工具等领域。
2. **电机驱动**：此款 MOSFET 可以用于电动机控制电路，提供稳定的电流供应，适合于风扇、电动工具及家电中的电机驱动模块，确保电机高效运转。
3. **LED 照明**：K1194-VB 可作为 LED 驱动电路中的开关元件，提供可靠的电流调节，确保 LED 的亮度稳定，适用于室内照明、商业照明及汽车照明系统。
4. **电池管理系统**：在电池管理和充电控制应用中，K1194-VB 可用于高效的电流控制，确保充电过程中的安全性和效率，广泛应用于电动汽车和可再生能源系统中。
