### 产品简介
**K1112-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TO252 封装设计，专为低至中等电压应用而开发。其最大漏源电压 (VDS) 可达 60V，最大栅源电压 (VGS) 为 ±20V，使其适用于多种电源管理和开关应用。该型号的阈值电压 (Vth) 为 1.7V，能够在较低的栅电压下快速导通，提升系统响应速度。K1112-VB 的导通电阻 RDS(ON) 在 VGS = 4.5V 时为 85mΩ，而在 VGS = 10V 时降低至 73mΩ，显著提高了能效和降低了热损耗。这些特点使 K1112-VB 成为电源转换、驱动和汽车电子等多个领域的理想选择。
### 详细参数说明
- **型号**: K1112-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单一 N 通道
- **VDS（漏源电压）**: 60V
- **VGS（栅源电压）**: ±20V
- **Vth（阈值电压）**: 1.7V
- **RDS(ON)**:
- 85mΩ (在 VGS = 4.5V 时)
- 73mΩ (在 VGS = 10V 时)
- **ID（漏电流）**: 18A
- **技术**: 沟槽技术（Trench）
### 应用领域及模块示例
1. **开关电源**: K1112-VB 适合用于开关电源（SMPS）设计，其低导通电阻和高效能的特性能够显著提升电源转换效率，广泛应用于消费电子产品如笔记本电脑和手机充电器中。
2. **LED 驱动**: 由于其高达 18A 的漏电流能力，K1112-VB 可作为 LED 驱动器的开关元件，确保高效的能量传输，满足高亮度照明系统的需求。
3. **电动工具**: 该 MOSFET 可应用于电动工具的电机控制电路中，提供快速响应和高效能，有助于提升工具的性能和工作效率。
4. **电源管理 IC**: K1112-VB 可以用于各种电源管理集成电路，支持电池充电和电力分配应用，确保电力的高效使用，适合智能手机和其他便携式设备。
5. **汽车电子**: 在汽车电子领域，该型号 MOSFET 可用于电动助力转向系统和动力管理应用，凭借其高效性和可靠性，满足现代汽车对电子控制的高要求。
总之，K1112-VB 是一款多功能、高效能的 N 通道 MOSFET，适用于多种电源管理和驱动应用，为现代电子设计提供了优良的解决方案。
