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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K10S04K3L-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K10S04K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K10S04K3L产品简介

K10S04K3L是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高效能和高功率的应用而设计。其最大漏源极电压(VDS)为40V,适合用于中低压开关电路。K10S04K3L具备非常低的导通电阻(RDS(ON)为14mΩ@VGS=4.5V和12mΩ@VGS=10V),使其能够在55A的漏极电流下稳定工作。这一特性有助于降低功率损耗,提高热管理性能。阈值电压(Vth)为2.5V,保证其在较低的驱动电压下即可快速导通。结合Trench技术,K10S04K3L在能效和散热方面表现出色,广泛应用于各类电子设备和电源管理系统中。

### 二、K10S04K3L详细参数说明

| 参数             | 数值                   |
| ---------------- | ---------------------- |
| **封装类型**     | TO252                  |
| **配置**         | 单N沟道                |
| **漏源极电压**   | 40V                    |
| **栅源极电压**   | ±20V                   |
| **阈值电压**     | 2.5V                   |
| **导通电阻**     | 14mΩ @ VGS=4.5V       |
| **导通电阻**     | 12mΩ @ VGS=10V        |
| **漏极电流**     | 55A                    |
| **技术类型**     | Trench                 |

### 三、适用领域和模块举例

1. **便携式电子设备**  
  K10S04K3L广泛应用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些应用中,低导通电阻和高效率能够有效延长电池寿命,提升用户体验。

2. **电源管理系统**  
  在电源管理领域,K10S04K3L可用于开关电源和DC-DC转换器,能够实现高效的电能转换。其高电流承载能力和优异的热管理特性,使得系统运行更稳定,更加节能。

3. **电动工具**  
  在电动工具的驱动电路中,K10S04K3L被用作高功率开关。其低导通电阻有助于减少发热,提升工具的耐用性和性能,尤其适合在高负载条件下的使用。

4. **LED照明**  
  K10S04K3L适用于LED照明系统中的驱动电路。其高效能使其能够精确控制LED的亮度,适应不同场景的照明需求,并提供较长的使用寿命。

5. **工业自动化**  
  在工业自动化设备中,K10S04K3L可作为电机驱动和控制模块中的开关元件,提供稳定的性能和高效的能量管理,确保生产流程的顺利进行。

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