### 一、K100S04N1L-VB 产品简介
K100S04N1L-VB 是一款高效的单 N-沟道 MOSFET，专为高电流和中等电压应用设计。其最大漏源电压 (VDS) 为 40V，能够承受高达 ±20V 的栅源电压 (VGS)。该器件采用 TO252 封装，提供优异的散热性能和良好的电气特性。其阈值电压 (Vth) 为 3V，导通电阻 (RDS(ON)) 在 4.5V 栅压下为 3mΩ，在 10V 栅压下为 1.6mΩ，确保在高负载条件下具有极低的功耗。K100S04N1L-VB 采用 Trench 技术，提供卓越的导电性能和开关速度，广泛应用于电源管理和高功率电路。
### 二、K100S04N1L-VB 详细参数说明
| 参数 | 数值 |
| ------------------------ | ---------------------- |
| **型号** | K100S04N1L-VB |
| **封装类型** | TO252 |
| **配置** | 单 N-沟道 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 40V |
| **最大栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 3mΩ @ VGS=4.5V |
| | 1.6mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 120A |
| **技术类型** | Trench |
| **工作温度范围** | -55°C 至 150°C |
### 三、适用领域和模块举例
1. **电源管理系统**
K100S04N1L-VB 非常适合用于高效的电源管理系统，尤其是在 DC-DC 转换器和电源适配器中。由于其极低的导通电阻和高电流承载能力，可以显著提高系统的效率，降低热损耗。
2. **电机驱动电路**
该 MOSFET 能够高效驱动电机，适用于各种电动机控制应用，如无刷直流电机和步进电机控制。其高电流承载能力和快速开关性能，使其成为工业自动化和机器人技术中的理想选择。
3. **电动汽车**
K100S04N1L-VB 在电动汽车的动力管理系统中也有广泛应用。其高耐压和大电流特性使其能够在电池管理系统和电机驱动系统中提供出色的性能，确保电动汽车的高效运行。
4. **LED照明驱动**
由于其卓越的开关特性和低导通损耗，K100S04N1L-VB 适用于 LED 照明驱动电路。能够高效控制 LED 的工作状态，提升整体照明系统的能效。
5. **消费电子产品**
在各种消费电子产品中，如计算机电源、家用电器等，K100S04N1L-VB 可用于电源开关和信号调节电路。其高可靠性和稳定性使其成为这些应用中的理想选择，提升产品的性能和用户体验。
