--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:JCS730R-O-R-N-A-VB
JCS730R-O-R-N-A-VB是一款高性能单N沟道功率MOSFET,封装形式为TO252,专为高电压应用设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为650V,适合用于各种电源管理和开关控制电路。其栅极阈值电压(Vth)为3.5V,导通电阻(RDS(ON))在VGS为10V时为700mΩ,最大漏极电流(ID)为7A。采用SJ_Multi-EPI技术,JCS730R提供了优异的开关性能和高效能,使其在各种工业和消费电子应用中表现出色。
### 详细参数说明:
1. **封装**:TO252
- TO252封装具有较小的体积和良好的热管理性能,适合高功率和紧凑空间应用。
2. **配置**:单N沟道
- 单N沟道结构优化了导通特性,适合各种电源和开关应用。
3. **漏源电压(VDS)**:650V
- 最大漏源电压达到650V,适合高电压环境下的应用。
4. **栅源电压(VGS)**:±30V
- 允许的栅源电压范围为±30V,增强了器件的灵活性和可靠性。
5. **栅极阈值电压(Vth)**:3.5V
- 栅极阈值电压相对较低,支持快速导通,提升了系统的响应速度。
6. **导通电阻(RDS(ON))**:700mΩ @ VGS=10V
- 在10V栅压下,导通电阻较低,有助于降低功率损耗,提升整体能效。
7. **漏极电流(ID)**:7A
- 最大连续漏极电流为7A,适合中等电流负载的应用,确保器件在不同条件下的可靠性。
8. **技术**:SJ_Multi-EPI
- SJ_Multi-EPI技术增强了器件的性能,能够在高电压和高电流条件下稳定运行。
### 应用领域和模块:
1. **电源转换器**:
JCS730R-O-R-N-A-VB适用于高压DC-DC转换器,能够高效地将输入电压转换为所需输出电压,满足各种电源管理需求。
2. **电动工具**:
在电动工具中,该MOSFET可用于电机驱动和控制,提供稳定的电流输出,确保电动工具在负载变化时的可靠性能。
3. **照明系统**:
该器件可以用于LED照明和其他高压照明应用,作为开关元件提供高效的电流控制,保证照明系统的稳定性和能效。
4. **工业自动化设备**:
JCS730R非常适合用于工业自动化设备中的电源管理系统,能够在高电压条件下稳定工作,支持各种控制和监测功能。
通过其优越的性能,JCS730R-O-R-N-A-VB在多种电源和控制应用中展现出极大的灵活性和可靠性,满足现代电气设备对高效率和高安全性的需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12