--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、JCS630R-O-R-N-A-VB产品简介
JCS630R-O-R-N-A-VB是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为中高压应用设计。该器件的最大漏源电压为200V,能够承受高达10A的漏极电流,适合多种功率管理和开关应用。其导通电阻为245mΩ@VGS=10V,结合其高效的Trench技术,确保了在高效能电力传输中的出色表现。这款MOSFET广泛应用于电源转换、电机驱动和LED驱动等领域。
### 二、JCS630R-O-R-N-A-VB详细参数说明
1. **封装类型**:TO252
提供优良的散热性能,适合于中等功率和高压应用。
2. **沟道类型**:单N沟道
适用于电源开关和高效能转换器,能够高效控制电流。
3. **漏源电压(VDS)**:200V
高压能力适合多种电力应用,能够满足高压系统的需求。
4. **栅极驱动电压(VGS)**:±20V
灵活的栅极驱动电压范围,使其与不同电路兼容。
5. **阈值电压(Vth)**:3V
合理的阈值电压确保器件快速开启,提高开关速度。
6. **导通电阻(RDS(ON))**:245mΩ @ VGS = 10V
较低的导通电阻降低了功率损耗,提高了能效。
7. **最大漏极电流(ID)**:10A
能够承受较大的电流负载,适合多种电力应用。
8. **技术类型**:Trench
先进的Trench技术提高了器件的性能,确保在高频和高效率应用中的出色表现。
### 三、JCS630R-O-R-N-A-VB应用领域和模块示例
1. **开关电源**
JCS630R-O-R-N-A-VB在开关电源设计中具有重要作用,适合用于DC-DC转换器和AC-DC适配器,确保高效的电力转换和稳定的输出。
2. **电机驱动**
该MOSFET适用于电机控制电路,可以高效地开关电机,提高电机启动和运行的效率,适合电动车辆和工业自动化设备。
3. **LED驱动**
在LED驱动应用中,JCS630R-O-R-N-A-VB可以作为开关元件,控制LED灯的开关,适用于各类照明系统,包括家庭照明和商业照明。
4. **消费电子**
该MOSFET在各种消费电子设备中也有应用,如家用电器、充电器和UPS(不间断电源),提供稳定的电力管理解决方案。
凭借其优异的性能,JCS630R-O-R-N-A-VB为各类电力电子应用提供了可靠的解决方案,特别是在高压和中功率领域中表现出色。
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