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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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JCS630R-O-R-N-A-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: JCS630R-O-R-N-A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、JCS630R-O-R-N-A-VB产品简介

JCS630R-O-R-N-A-VB是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为中高压应用设计。该器件的最大漏源电压为200V,能够承受高达10A的漏极电流,适合多种功率管理和开关应用。其导通电阻为245mΩ@VGS=10V,结合其高效的Trench技术,确保了在高效能电力传输中的出色表现。这款MOSFET广泛应用于电源转换、电机驱动和LED驱动等领域。

### 二、JCS630R-O-R-N-A-VB详细参数说明

1. **封装类型**:TO252  
  提供优良的散热性能,适合于中等功率和高压应用。

2. **沟道类型**:单N沟道  
  适用于电源开关和高效能转换器,能够高效控制电流。

3. **漏源电压(VDS)**:200V  
  高压能力适合多种电力应用,能够满足高压系统的需求。

4. **栅极驱动电压(VGS)**:±20V  
  灵活的栅极驱动电压范围,使其与不同电路兼容。

5. **阈值电压(Vth)**:3V  
  合理的阈值电压确保器件快速开启,提高开关速度。

6. **导通电阻(RDS(ON))**:245mΩ @ VGS = 10V  
  较低的导通电阻降低了功率损耗,提高了能效。

7. **最大漏极电流(ID)**:10A  
  能够承受较大的电流负载,适合多种电力应用。

8. **技术类型**:Trench  
  先进的Trench技术提高了器件的性能,确保在高频和高效率应用中的出色表现。

### 三、JCS630R-O-R-N-A-VB应用领域和模块示例

1. **开关电源**
  JCS630R-O-R-N-A-VB在开关电源设计中具有重要作用,适合用于DC-DC转换器和AC-DC适配器,确保高效的电力转换和稳定的输出。

2. **电机驱动**
  该MOSFET适用于电机控制电路,可以高效地开关电机,提高电机启动和运行的效率,适合电动车辆和工业自动化设备。

3. **LED驱动**
  在LED驱动应用中,JCS630R-O-R-N-A-VB可以作为开关元件,控制LED灯的开关,适用于各类照明系统,包括家庭照明和商业照明。

4. **消费电子**
  该MOSFET在各种消费电子设备中也有应用,如家用电器、充电器和UPS(不间断电源),提供稳定的电力管理解决方案。

凭借其优异的性能,JCS630R-O-R-N-A-VB为各类电力电子应用提供了可靠的解决方案,特别是在高压和中功率领域中表现出色。

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