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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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JCS50N06RH-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: JCS50N06RH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### JCS50N06RH-VB MOSFET 产品简介

**JCS50N06RH-VB** 是一款高性能 N 型 MOSFET,采用 TO-252 封装,专为中高压应用设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为 60V,适合用于各类电源管理和开关电路。最大栅源电压(VGS)为 ±20V,确保器件在安全条件下稳定运行。JCS50N06RH-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 13mΩ,在 VGS=10V 时为 10mΩ,提供了优异的低功耗性能。采用 Trench 技术,该 MOSFET 在高温下依然能够保持良好的工作稳定性,非常适合现代电力电子应用。

---

### 详细参数说明

1. **封装**: TO-252  
  - TO-252 封装设计提供良好的散热性能,适合中到高功率的应用。

2. **配置**: 单个 N 型通道  
  - 单通道配置允许有效控制电流,适用于多种电路设计。

3. **漏源电压 (VDS)**: 60V  
  - 器件可以承受的最大漏源电压,适合于中压电路应用。

4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V  
  - 最大栅极和源极之间的允许电压,确保器件的安全和稳定。

5. **阈值电压 (Vth)**: 2.5V  
  - 器件开始导通所需的最小栅极电压,提供良好的开关特性。

6. **导通电阻 (RDS(ON))**:  
  - @ VGS = 4.5V 时为 13mΩ  
  - @ VGS = 10V 时为 10mΩ  
  - 低导通电阻使其在工作时具有高效能和低热量产生。

7. **电流额定值 (ID)**: 58A  
  - 器件在正常工作条件下能够处理的最大连续电流,适合高负载应用。

8. **技术**: Trench  
  - Trench 技术提供优良的开关特性和低导通损耗,适合高效能电力电子设计。

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### 应用示例

1. **电源供应**:  
  JCS50N06RH-VB 非常适合用于高效的电源转换器和开关电源,能够有效降低功耗并提高能量转换效率。

2. **电动工具**:  
  该 MOSFET 可应用于电动工具的电机驱动控制中,确保在启动和运行过程中提供稳定的电流和功率。

3. **电动车辆**:  
  在电动车辆的驱动系统中,JCS50N06RH-VB 能够用于电池管理和电动机驱动,提升整体能效和性能。

4. **LED 照明**:  
  该器件同样适用于 LED 照明驱动电路,其低导通电阻特性能够有效提升 LED 的亮度和稳定性。

综上所述,JCS50N06RH-VB 是一款适用于多种中高压电力电子应用的 N 型 MOSFET,因其高效能、低功耗和稳定性成为现代电子设计的重要组成部分。

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