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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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J634-TL-E-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管

型号: J634-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、J634-TL-E-VB产品简介

J634-TL-E-VB是一款高效的单P沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高电流应用设计。该器件的漏源极电压(VDS)为-60V,能够在高负压环境中稳定运行。J634-TL-E-VB的栅源极电压(VGS)范围为±20V,适合多种应用场合。它的阈值电压(Vth)为-1.7V,提供了良好的开关性能。其导通电阻(RDS(ON))在不同的栅源电压下分别为72mΩ(@VGS=4.5V)和61mΩ(@VGS=10V),确保了高效率和低功耗。借助Trench沟槽技术,J634-TL-E-VB在电源管理、开关电路等领域展现出卓越的性能。

### 二、J634-TL-E-VB详细参数说明

| 参数             | 数值                   |
| ---------------- | ---------------------- |
| **封装类型**     | TO252                  |
| **配置**         | 单P沟道                |
| **漏源极电压**   | -60V                   |
| **栅源极电压**   | ±20V                   |
| **阈值电压**     | -1.7V                  |
| **导通电阻**     | 72mΩ@VGS=4.5V         |
|                  | 61mΩ@VGS=10V          |
| **漏极电流**     | -30A                   |
| **技术类型**     | Trench沟槽技术         |

### 三、适用领域和模块举例

1. **电源管理系统**  
  J634-TL-E-VB适合用于各种电源管理模块,特别是在DC-DC转换器和线性稳压器中。其低导通电阻特性可以显著提高能效,减少热损耗,提升电源转换效率。

2. **电动工具和设备**  
  在电动工具和消费电子设备的电机驱动中,J634-TL-E-VB能够处理高达-30A的电流,非常适合用于高功率电机控制。其快速响应特性能够确保电机在启动和停止过程中的平稳运行。

3. **电池管理系统(BMS)**  
  该MOSFET在锂电池管理系统中应用广泛,尤其是在电池保护和充放电管理功能中,确保电池在安全范围内操作,有效延长电池寿命。

4. **可再生能源和逆变器**  
  J634-TL-E-VB非常适合用于逆变器和太阳能电池板控制器等可再生能源应用中。它的高电流处理能力和低功率损耗特性使其在电流控制和电能转换方面表现出色。

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