--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### J633-VB MOSFET 产品简介
**J633-VB** 是一款高性能的 P 型 MOSFET,采用 TO-252 封装,专为各种电子应用中的高效电源管理设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为 -60V,连续漏电流(ID)额定值为 -30A,适用于高效能和可靠性至关重要的开关应用。其采用的 Trench 技术可实现低导通电阻(RDS(ON)),有效降低功率损耗。J633-VB 特别适合于负载切换、电源转换和电机控制等应用,在这些应用中,精确的电流控制和最低热量产生是至关重要的。
---
### 详细参数说明
1. **封装**: TO-252
- 采用TO-252封装,便于散热并提供可靠的电气连接。
2. **配置**: 单个 P 型通道
- 这种配置适用于各种需要 P 型 MOSFET 的电路。
3. **漏源电压 (VDS)**: -60V
- 器件在关闭状态下,漏极和源极之间可以承受的最大电压。
4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- 栅极和源极之间的最大允许电压,确保安全操作。
5. **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- 开始导通所需的最小栅极电压。
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V 时为 72mΩ
- VGS = 10V 时为 61mΩ
- 低导通电阻提高了电流导通效率,降低功率损耗。
7. **电流额定值 (ID)**: -30A
- 器件在理想条件下可以处理的最大连续电流。
8. **技术**: Trench
- Trench 技术提供更高的性能和效率,有助于降低导通电阻和加快开关速度。
---
### 应用示例
1. **电源管理和 DC-DC 转换器**:
J633-VB 广泛应用于电源管理电路和 DC-DC 转换器中,作为高效的开关来调节电力供应。其低 RDS(ON) 值显著减少了能量损失,使其在电压调节和功率转换需求高效能的应用中非常理想。
2. **电池管理系统 (BMS)**:
在电动车和可再生能源系统中,J633-VB 用于管理电池的充放电过程。其高电流处理能力确保电池在安全范围内运行,防止过电流和过电压,延长电池的使用寿命。
3. **电机控制应用**:
此 MOSFET 适用于电机控制,包括机器人和自动化系统。其高电流额定值和高效开关特性使得能够精确控制电机的速度和扭矩,提高驱动系统的整体性能。
4. **消费电子中的负载切换**:
J633-VB 可用于消费电子设备中的负载切换,确保高效的电源分配,同时保护敏感组件。其卓越的性能使其成为电动工具、移动设备和其他需要可靠开关的便携式设备的理想选择。
总之,J633-VB 是一款多功能的 P 型 MOSFET,在高效电源管理、电机控制和消费电子领域中表现出色,是实现高性能和可靠性的关键组件。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12