### 产品简介
J529S-VB是一款高效能P沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中等电压应用设计。其卓越的导通性能和低导通电阻使其非常适合电源管理和开关应用，能够在各种电子设备中提供高效、可靠的性能。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：Single-P-Channel
- **VDS**：-60V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-1.7V
- **RDS(ON)**：
- 72mΩ（@VGS=4.5V）
- 61mΩ（@VGS=10V）
- **ID**：-30A
- **技术**：Trench
### 应用领域与模块
J529S-VB广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电路等领域。其低导通电阻有助于提高能效，降低功耗，特别适合于便携式电子设备和工业控制系统。此外，该MOSFET也在汽车电子和电池管理系统中表现出色，确保系统稳定性和可靠性，满足各种应用需求。
