--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介:**
J528S-VB是一款高性能单P通道MOSFET,采用TO252封装,专为中等电压和高电流应用设计。其漏源电压(VDS)为-60V,最大漏电流(ID)为-30A,适合在要求高效率和低功耗的开关电源及负载开关电路中使用。该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(ON)为61mΩ@VGS=10V),有效降低能量损耗,提升系统的整体性能。
**详细参数说明:**
- **封装:** TO252
- **配置:** 单P通道
- **VDS:** -60V
- **VGS:** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 72mΩ(在VGS=4.5V时)
- 61mΩ(在VGS=10V时)
- **最大持续漏电流(ID):** -30A
- **技术:** Trench
**应用领域与模块示例:**
J528S-VB广泛应用于DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统等领域。其高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于LED驱动、电动机控制和高效电源转换模块,以确保在高负载条件下的可靠性和效率。
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