### 产品简介
J527STR-VB是一款高效的P沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中等功率和低电压应用设计。其最大漏极-源极电压(VDS)为-60V，适合在负电压环境中运行。该器件在4.5V和10V的栅极电压下，导通电阻分别为72mΩ和61mΩ，确保在各种工作条件下具备良好的热管理和高效性能，适合高频开关应用。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单P通道
- **VDS**：-60V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-1.7V
- **RDS(ON)**：72mΩ @ VGS=4.5V
- **RDS(ON)**：61mΩ @ VGS=10V
- **ID**：-30A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
J527STR-VB广泛应用于电源管理、开关电源和电机控制等领域。在电源管理模块中，该MOSFET非常适合用于高效的DC-DC转换器，能够提供稳定的输出电压并提升系统效率。在开关电源设计中，J527STR-VB能够实现快速开关，从而优化整体能效。此外，在电机控制应用中，它能有效地控制电流，适合用于电动工具、家用电器及其他负载控制场合，确保在不同负载条件下的可靠性能。
