### J527STR-E-VB 产品简介
J527STR-E-VB 是一款高性能单P沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，专为高效能电源管理和开关应用设计。其额定 VDS 为 -60V，具备较低的导通阻抗，能够有效降低功耗，提高系统的整体效率，非常适合用于各种电源转换及控制方案。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单P沟道
- **VDS**: -60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: -1.7V
- **RDS(ON)**:
- 72mΩ @ VGS=4.5V
- 61mΩ @ VGS=10V
- **ID**: -30A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
J527STR-E-VB 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理模块，其低导通阻抗特性使其在电池管理和电动机驱动系统中表现出色，能够有效提升系统的能效和可靠性。此外，该型号适用于消费电子产品、家用电器以及工业设备，以确保高效的电力传输和控制。
