### 产品简介
J506STR-VB是一款高效能P沟道MOSFET，采用TO252封装，专为低压和高效能应用设计。凭借其低导通电阻和快速开关能力，该器件适合用于各种电源管理和开关应用，能够在对性能和可靠性要求较高的环境中表现出色。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：Single-P-Channel
- **VDS**：-30V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-1.7V
- **RDS(ON)**：
- 46mΩ（@VGS=4.5V）
- 33mΩ（@VGS=10V）
- **ID**：-38A
- **技术**：Trench
### 应用领域与模块
J506STR-VB广泛应用于便携式电子设备、DC-DC转换器和LED驱动电路等领域。其低导通电阻有效降低了功耗，提升了能效，尤其适合在空间受限的应用中表现出色。此外，该MOSFET在汽车电子和工业控制系统中也有良好的应用，确保系统稳定性和高效性，满足多样化的需求。
