--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -30V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
- ID -38A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### J499-VB 产品简介
J499-VB 是一款高效能单P沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为中等电压和电流应用设计。其额定 VDS 为 -30V,具有较低的导通阻抗,能够在多种电源管理和控制系统中实现优良的性能,适合高效能的开关应用。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单P沟道
- **VDS**: -30V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: -1.7V
- **RDS(ON)**:
- 46mΩ @ VGS=4.5V
- 33mΩ @ VGS=10V
- **ID**: -38A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
J499-VB 广泛应用于电源转换器、DC-DC 转换器及负载开关。其低导通阻抗特性使其在电池管理系统和电动机驱动中表现优异,有助于提升系统的能效。此外,该型号也适用于各种消费电子产品和小型家电,以增强整体可靠性和性能。
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