--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
J485-VB是一款高效能P沟道MOSFET,采用TO252封装,专为中等电压应用设计。凭借其低导通电阻和出色的开关特性,该器件特别适合电源管理、开关电路和其他高功率应用,能够在要求高可靠性的环境中表现优异。
### 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:Single-P-Channel
- **VDS**:-60V
- **VGS**:±20V
- **Vth**:-1.7V
- **RDS(ON)**:
- 72mΩ(@VGS=4.5V)
- 61mΩ(@VGS=10V)
- **ID**:-30A
- **技术**:Trench
### 应用领域与模块
J485-VB广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和LED驱动电路等多个领域。其低导通电阻有助于降低功耗,提升能效,特别适合于便携式电子设备和工业控制系统。此外,该MOSFET在汽车电子和电池管理系统中也能提供可靠的性能,确保系统的稳定性和效率,满足各种应用需求。
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