--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -20V
- VGS 20(±V)
- Vth -0.8V
- RDS(ON) 16mΩ@VGS=4.5V
- ID -40A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
J387S-VB是一款高效的P型MOSFET,采用TO252封装,专为低压应用设计。其漏源电压(VDS)为-20V,最大持续电流可达-40A。该器件采用Trench技术,具备极低的导通电阻,能够在高频条件下稳定运行,适合多种电源管理和驱动电路。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单P通道
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 25mΩ @ VGS=2.5V
- 16mΩ @ VGS=4.5V
- **最大持续电流 (ID)**: -40A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
J387S-VB广泛应用于多个领域,主要包括:
1. **电源管理**:在开关电源和DC-DC转换器中作为高效开关元件,确保快速和稳定的电压转换。
2. **电动汽车**:用于电源管理和电机控制,优化动力系统的效率和能量利用。
3. **工业自动化**:作为负载开关,确保可靠的设备控制和高效的能量管理。
4. **消费电子**:在移动设备和智能家居产品中,提升电源管理能力,降低能耗。
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