### 产品简介
J387STL-E-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，采用TO252封装，专为低电压和高电流应用设计。其最大漏极-源极电压(VDS)为-20V，适合在低电压环境中运行。该器件在2.5V和4.5V的栅极电压下，导通电阻分别为25mΩ和16mΩ，确保其在多种应用中具备出色的低功耗和高效率。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单P通道
- **VDS**：-20V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-0.8V
- **RDS(ON)**：25mΩ @ VGS=2.5V
- **RDS(ON)**：16mΩ @ VGS=4.5V
- **ID**：-40A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
J387STL-E-VB广泛应用于电源管理、便携式设备和电机驱动等领域。在电源管理模块中，该MOSFET非常适合用于高效的DC-DC转换器，提供稳定的输出电压，并提高系统效率。在便携式设备中，J387STL-E-VB能有效控制电流，确保设备的高效运行和延长电池寿命。此外，在电机驱动应用中，它能够平稳控制电流，适合用于各类电动工具和家用电器，确保在不同负载条件下的可靠性能。
