### 产品简介
J382-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，具备-30V的VDS和±20V的VGS，采用TO252封装。该器件采用Trench技术，提供优异的开关性能和低导通电阻（RDS(ON)为46mΩ@VGS=4.5V和33mΩ@VGS=10V），能够支持高达-38A的电流，特别适合于中高功率的应用。
### 参数说明
- **型号**：J382-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单个P沟道
- **VDS**：-30V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-1.7V
- **RDS(ON)**：46mΩ @ VGS=4.5V
- **RDS(ON)**：33mΩ @ VGS=10V
- **ID**：-38A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
J382-VB广泛应用于电源管理、直流-直流转换器和负载开关等领域。它在电池管理系统、电动汽车驱动和高效能逆变器中表现良好，能够有效控制电流流动。由于其低导通电阻和高效能，这款MOSFET非常适合用于需要高效电源转换的应用，确保系统的稳定性和可靠性。
