--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
J362-VB是一款高性能P型MOSFET,采用TO252封装,专为中高压电力应用设计。其漏源电压(VDS)为-60V,最大持续电流为-30A。采用Trench技术,该器件具备低导通电阻和良好的热稳定性,适合在高温和高频环境中运行,广泛应用于电源管理和驱动电路。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单P通道
- **漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS=4.5V
- 61mΩ @ VGS=10V
- **最大持续电流 (ID)**: -30A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
J362-VB广泛应用于多个领域,主要包括:
1. **开关电源**:在DC-DC转换器中作为高效的开关元件,实现稳定的电压输出。
2. **电动汽车**:用于电源管理和电机驱动,提升整体效率和动力传输能力。
3. **工业自动化**:作为电机控制和负载开关,确保在高负载条件下的可靠运行。
4. **消费电子**:在智能家居和其他电子设备中优化电源管理,提高产品的能效与性能。
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