**产品简介：**
J338-Z-VB是一款高性能的单P通道MOSFET，采用TO252封装，专为高电压应用设计。其漏源电压（VDS）高达-150V，最大漏电流（ID）为-15A，适合用于电源管理和开关电路。该MOSFET具有合理的导通电阻（RDS(ON)为160mΩ@VGS=10V），在高效能下运行时能有效降低能耗和发热。
**详细参数说明：**
- **封装：** TO252
- **配置：** 单P通道
- **VDS：** -150V
- **VGS：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** -2V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 160mΩ（在VGS=10V时）
- **最大持续漏电流（ID）：** -15A
- **技术：** Trench
**应用领域与模块示例：**
J338-Z-VB广泛应用于高压开关电源、DC-DC转换器和负载开关等领域。其高电压能力使其非常适合用于电动汽车充电器、工业自动化设备和高压LED驱动模块中，确保在各种工作条件下的可靠性与高效性。
