--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -150V
- VGS 20(±V)
- Vth -2V
- RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
- ID -15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
J338-VB是一款高压P型MOSFET,采用TO252封装,专为高电压应用设计。其漏源电压(VDS)达到-150V,最大持续电流为-15A。采用Trench技术,具备良好的导通性能和较低的导通电阻,适合在多种电力管理和驱动电路中应用。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单P通道
- **漏源电压 (VDS)**: -150V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **最大持续电流 (ID)**: -15A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
J338-VB广泛应用于多个领域,主要包括:
1. **开关电源**:在高压DC-DC转换器中作为关键开关元件,确保高效能量转换。
2. **电动汽车**:用于高压电源管理和电机驱动,优化系统效率和能量回收。
3. **工业自动化**:在高压控制电路中提供可靠的负载管理,确保设备稳定运行。
4. **消费电子**:在高压应用的智能设备中优化电源管理,提高能效和设备性能。
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