--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -250V
- VGS 20(±V)
- Vth -2V
- RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
- ID -6A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### J281-VB 产品简介
J281-VB 是一款高压单极性 P 型 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高达 -250V 的应用设计。其结构基于 Trench 技术,具有良好的电气性能和热管理能力。J281-VB 在多个高压领域中表现卓越,尤其适用于电源管理和工业控制系统。凭借其可靠的导通性能和较高的电流承载能力,该器件能够在各种苛刻条件下保持稳定。
### 详细参数说明
- **型号**: J281-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单极性 P 型
- **漏源电压 (VDS)**: -250V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1200mΩ @ VGS = 4.5V
- 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: -6A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
J281-VB 在多个领域中展现出其优越的适用性。首先,在电源管理方面,该 MOSFET 适用于高压开关电源和 DC-DC 转换器,能够在高压环境中提供稳定的电流输出,保证系统的安全性和可靠性。其次,它可以用作工业设备中的负载开关,在控制电流流动时提供快速响应,适合于各种自动化和控制系统。此外,由于其较高的漏源电压能力,J281-VB 还适合用于电动机驱动和高功率放大器等高压应用,确保在极端条件下仍然能保持稳定的性能。这些特性使得 J281-VB 成为电子设计领域的重要组件。
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