**产品简介：**
J195-VB是一款高性能的单P通道MOSFET，采用TO252封装，专为高电压应用设计。其漏源电压（VDS）高达-100V，最大漏电流（ID）为-8.8A，适合用于电源管理和开关应用。尽管其导通电阻（RDS(ON)为250mΩ@VGS=10V）相对较高，但其可靠性和耐用性使其在高电压环境下表现出色。
**详细参数说明：**
- **封装：** TO252
- **配置：** 单P通道
- **VDS：** -100V
- **VGS：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** -2V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 280mΩ（在VGS=4.5V时）
- 250mΩ（在VGS=10V时）
- **最大持续漏电流（ID）：** -8.8A
- **技术：** Trench
**应用领域与模块示例：**
J195-VB广泛应用于高电压电源供应、DC-DC转换器和负载开关等领域。其高电压处理能力使其非常适合用于电动汽车充电器、工业设备和太阳能逆变器等模块中，确保在严苛条件下的稳定性和高效性。
