### 产品简介
J194-VB 是一款高电压 P 型 MOSFET，采用 TO252 封装，专为高压应用设计。该器件采用 Trench 技术，具有良好的导通性能和较低的 RDS(ON) 值，能够在高温和高频条件下稳定运行，适合各种电源管理和驱动电路。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：Single-P-Channel
- **VDS**：-100V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-2V
- **RDS(ON)**：280mΩ (VGS=4.5V)；250mΩ (VGS=10V)
- **ID**：-8.8A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块示例
J194-VB 广泛应用于开关电源、逆变器和负载开关等高压电源管理系统。其较低的导通电阻使其在电源转换过程中减少能量损失，提高系统效率。在电动汽车领域，该 MOSFET 可用于电机驱动和电源管理，确保高效的动力传输和能量回收。此外，在工业自动化中，它可以作为功率开关，确保可靠的负载控制和高效的系统性能。该器件在通信设备中也适用，能够优化功率放大器和信号处理电路的效率。
