### J191-VB 产品简介
J191-VB 是一款高效能的 P 通道 MOSFET，封装形式为 TO252，专为中低压应用设计。该器件的漏源电压（VDS）为 -60V，适合用于负电压环境。其栅极源极电压（VGS）可达到 ±20V，阈值电压（Vth）为 -1.7V，能够在较低的驱动电压下正常工作。采用 Trench 技术，提供低导通电阻（RDS(ON) = 72mΩ @ VGS=4.5V 和 61mΩ @ VGS=10V），确保在高电流条件下运行时的能效，适用于各类电源管理和控制电路。
### 详细参数说明
- **型号**：J191-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单 P 通道
- **漏源电压（VDS）**：-60V
- **栅极源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：-1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 72mΩ @ VGS=4.5V
- 61mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流（ID）**：-30A
- **技术**：Trench
### 应用领域与模块示例
1. **负电源开关**：J191-VB 可用于负电源开关电路，适合需要负电压供电的应用，如音频设备和高效电源管理系统，确保稳定的电压输出。
2. **电机驱动器**：在电机控制中，该 MOSFET 可作为 H 桥电路中的开关元件，实现电机的正负电流调节，提供高效驱动。
3. **DC-DC 转换器**：J191-VB 适用于多种 DC-DC 转换器，尤其是在需要负电压输出的应用，如电力转换器和逆变器。
4. **电池管理系统**：该器件在电池管理应用中可用于控制电池充放电过程，确保安全和高效的能量传输，提升系统可靠性。
5. **LED 驱动电路**：在 LED 照明和驱动应用中，J191-VB 可作为负电源驱动，提供高效能和长寿命的照明解决方案。
以上是 J191-VB 的产品简介、详细参数说明及其适用领域的示例。如需更多信息或具体应用案例，请随时告知！
