--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**J18TL-VB** 是一款高效能P沟道MOSFET,采用TO252封装,专为中等电压和高电流应用设计。该器件提供优良的导通性能和低导通电阻,适合在各种电源管理和开关应用中使用,特别是在对效率和可靠性要求较高的环境中。
### 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:Single-P-Channel
- **VDS**:-60V
- **VGS**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **RDS(ON)**:
- 72mΩ(@VGS=4.5V)
- 61mΩ(@VGS=10V)
- **ID**:-30A
- **技术**:Trench
### 应用领域与模块
J18TL-VB广泛应用于电源管理系统,如DC-DC转换器和开关电源,能够有效提高系统能效,减少热损耗。此外,该MOSFET在消费电子产品、汽车电子以及工业自动化设备中表现出色,特别是在需要高效功率开关和可靠性高的场合。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为许多应用的理想选择,确保系统的稳定运行和长期可靠性。
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