### 产品简介
J130-VB是一款高电压P沟道MOSFET，具备-500V的VDS和±20V的VGS，采用TO252封装。该器件采用Plannar技术，尽管其导通电阻较高（RDS(ON)为4875mΩ@VGS=4.5V和3900mΩ@VGS=10V），但在高电压应用中仍能提供可靠的性能，适合于功率控制和开关应用。
### 参数说明
- **型号**：J130-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单个P沟道
- **VDS**：-500V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-3V
- **RDS(ON)**：4875mΩ @ VGS=4.5V
- **RDS(ON)**：3900mΩ @ VGS=10V
- **ID**：-2A
- **技术**：Plannar
### 应用领域和模块
J130-VB广泛应用于高电压电源转换器、直流-直流转换器和逆变器等模块。它在电力电子设备、高压开关电源和工业自动化领域中尤为重要，能够在高电压环境中稳定工作。该MOSFET适合用于电气驱动和电源管理系统，提供高效的功率控制和转换能力。
