--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -200V
- VGS 20(±V)
- Vth -2.5V
- RDS(ON) 1160mΩ@VGS=10V
- ID -3.6A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:J0582-VB
J0582-VB是一款高效能的单P沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高电压应用设计。凭借其强大的性能和稳定的开关特性,该MOSFET适用于各种电源管理和负载控制场景。其Trench技术确保了低导通电阻和良好的热性能,使J0582-VB在现代电子设计中成为关键的组件,能够有效提升系统的效率和可靠性。
### 详细参数说明:
- **型号**:J0582-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单P沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:-200V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 1392mΩ(在VGS=4.5V时)
- 1160mΩ(在VGS=10V时)
- **最大漏极电流(ID)**:-3.6A
- **技术类型**:Trench技术
### 应用领域和模块示例:
1. **高压电源管理**:
J0582-VB非常适合用于高压开关电源(SMPS),其低导通电阻能够有效降低功耗,提高整体电源效率,广泛应用于消费电子和工业电源模块。
2. **电动汽车**:
在电动汽车的电池管理系统中,该MOSFET可以有效控制电流流动,提高电池充放电过程的安全性和效率,确保电动汽车在各种工作条件下的稳定运行。
3. **逆变器**:
J0582-VB适用于光伏逆变器和其他类型的电源转换设备,能够提供可靠的功率转换和管理,确保在高负载下的稳定性和高效率。
4. **工业控制系统**:
该MOSFET在工业自动化应用中被广泛用于负载控制和电机驱动,能够提高系统的响应速度和能效,满足对高性能组件的需求。
通过这些应用示例,J0582-VB展示了其在高电压和中等电流应用场景下的广泛适用性,能够满足现代电子设备对性能和效率的严格要求。
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