**产品简介：**
IXTY64N055T-VB是一款高效能的单N通道MOSFET，采用TO252封装，专为中等电压应用设计。其漏源电压（VDS）为60V，最大漏电流（ID）可达58A。该MOSFET具有极低的导通电阻（RDS(ON)为13mΩ@VGS=4.5V和10mΩ@VGS=10V），能够有效降低功耗并提升系统效率，特别适合在高负载条件下使用。
**详细参数说明：**
- **封装：** TO252
- **配置：** 单N通道
- **VDS：** 60V
- **VGS：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 13mΩ（在VGS=4.5V时），10mΩ（在VGS=10V时）
- **最大持续漏电流（ID）：** 58A
- **技术：** Trench
**应用领域与模块示例：**
IXTY64N055T-VB广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和电动机驱动等领域。其卓越的电流处理能力和低功耗特性，使其非常适合用于电动汽车、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及各类高效能电子设备中，确保系统的稳定性和高效运行。
