### 产品简介
IXTY2N80P-VB是一款高压N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高电压应用设计。其高达800V的耐压能力和良好的导通特性使其成为在严苛环境中工作的理想选择。该器件基于SJ_Multi-EPI技术，能够有效满足高效能电源和电子设备的需求。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **VDS**：800V
- **VGS**：±30V
- **Vth**：3.5V
- **RDS(ON)**：2600mΩ（@VGS=10V）
- **ID**：2A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 应用领域与模块
IXTY2N80P-VB适用于电源转换器、开关电源和高压逆变器等应用。由于其高耐压特性，这款MOSFET在电气设备的保护电路、工业自动化设备和电力转换系统中表现优异。此外，它也可用于高压驱动电路和家电设备，确保系统的安全性和稳定性。在这些应用中，IXTY2N80P-VB能够有效提高能效，降低热损耗，增强设备的可靠性。
