**产品简介：**
IXTY1R6N50D2-VB是一款高电压单N通道MOSFET，采用TO252封装，专为高压应用设计。其漏源电压（VDS）高达650V，最大漏电流（ID）为5A，非常适合高电压电源和逆变器应用。虽然其导通电阻（RDS(ON)为1000mΩ@VGS=10V）较高，但其设计确保在高压环境中的稳定性和可靠性。
**详细参数说明：**
- **封装：** TO252
- **配置：** 单N通道
- **VDS：** 650V
- **VGS：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 1000mΩ（在VGS=10V时）
- **最大持续漏电流（ID）：** 5A
- **技术：** SJ_Multi-EPI
**应用领域与模块示例：**
IXTY1R6N50D2-VB广泛应用于高压电源管理、LED驱动和电机控制等领域。其高电压能力使其适合用于太阳能逆变器、工业电源和高压直流转换器等模块，确保在恶劣工作条件下的安全与稳定性。
