### 产品简介
IXTY18P10T-VB是一款高效P沟道MOSFET，采用TO252封装，专为低电压高效率应用而设计。其最大漏极-源极电压(VDS)为-100V，适合在负电压环境下运行。该器件的导通电阻在4.5V和10V的栅极电压下分别为120mΩ和100mΩ，确保其在多种应用中保持低功耗和高性能。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单P通道
- **VDS**：-100V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-2V
- **RDS(ON)**：120mΩ @ VGS=4.5V
- **RDS(ON)**：100mΩ @ VGS=10V
- **ID**：-16A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
IXTY18P10T-VB广泛应用于电源管理、电动工具以及电机驱动等领域。在电源管理系统中，该MOSFET可用于高效的DC-DC转换器，确保系统在负载变化时提供稳定输出。在电动工具中，其快速开关能力能够提升工作效率，减少能量损耗。此外，在电机驱动模块中，该器件能够有效控制电流，确保电机在不同工况下平稳运行，特别适用于自动化设备和家用电器。
