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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLW640A-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLW640A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 30A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRLW640A-VB 产品简介

IRLW640A-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,并基于 Trench 技术设计。它具有 200V 的漏源电压 (VDS) 和 30A 的最大漏极电流 (ID),适用于高压应用。凭借 55mΩ 的低导通电阻 (RDS(ON)),该器件可在高压和高电流条件下提供高效的能量转换,适用于电源管理、逆变器、以及工业电机控制等领域。

### 详细参数说明

- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 55mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench 技术

### 应用领域和模块示例

1. **工业电源系统**:
  IRLW640A-VB 非常适合用于高压工业电源系统。其 200V 的高耐压性能能够确保 MOSFET 在工业电源模块中的高效运行,尤其适合在复杂和苛刻的环境下运作。该器件的低导通电阻也能减少系统的功率损耗,提高整体效率。

2. **光伏逆变器**:
  在光伏逆变器中,MOSFET 的高压和高电流能力是关键。IRLW640A-VB 的 200V VDS 和 30A ID 可以在高压直流转换过程中提供可靠的开关操作和低功率损耗,确保光伏系统高效、稳定地将直流电转换为交流电。

3. **电机驱动控制**:
  在需要精确控制和高电流处理能力的工业电机驱动应用中,IRLW640A-VB 的低 RDS(ON) 值和高耐压能力使其成为优选。这些特性有助于减少电机运行中的发热量和功率损耗,确保稳定的功率输出。

4. **UPS 和电池管理系统**:
  不间断电源 (UPS) 和电池管理系统需要高效的能量管理和快速的切换能力。IRLW640A-VB 的高压特性和高效能量转换性能,适合用于这些系统中的电源控制模块和保护电路,提供稳定的电能管理和高可靠性。

IRLW640A-VB 在工业电源系统、光伏逆变器、电机驱动和 UPS 系统等高压应用中展现了其出色的性能,能够满足高效能量管理和高电流处理的需求。

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