### IRLR8113TRPBF-VB MOSFET 产品简介
IRLR8113TRPBF-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为处理低电压和高电流应用设计。它具有最大漏源电压（VDS）30V，栅源电压（VGS）可达到±20V，栅阈值电压（Vth）为1.7V。该MOSFET 的导通电阻（RDS(ON)）在VGS=4.5V时为3mΩ，在VGS=10V时为2mΩ。凭借其高达100A的漏极电流承载能力和Trench技术，IRLR8113TRPBF-VB 适用于需要高电流和低功耗的应用场景，能够在高电流负载下有效减少功率损耗并提高系统效率。
### IRLR8113TRPBF-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术类型**: Trench（沟槽）技术
- **最大功率耗散 (PD)**: 3W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **封装引脚**: 三引脚（Drain, Gate, Source）
### 应用领域和模块举例
1. **高电流电源开关**
- IRLR8113TRPBF-VB 适用于高电流电源开关应用，特别是在DC-DC转换器和电源管理系统中。由于其极低的导通电阻，这款MOSFET 能够显著减少功率损耗，确保电源转换效率并提供稳定的电源输出。
2. **电机驱动系统**
- 在电机驱动系统中，IRLR8113TRPBF-VB 的高电流承载能力和低导通电阻使其成为理想的开关元件。它能够高效控制电机驱动电流，适用于电动工具、电动汽车驱动系统等需要大电流控制的应用。
3. **负载开关应用**
- 该MOSFET 在负载开关应用中表现出色，可以用作家电、工业设备等中的高电流负载开关。由于其低RDS(ON)特性，它可以高效地控制大电流负载，降低功耗并提升系统稳定性。
4. **电源保护**
- 在电源保护模块中，IRLR8113TRPBF-VB 可以用于过流保护开关。它能够快速响应电流变化，提供有效的保护功能，防止电路因过流而受损，确保系统安全运行。
IRLR8113TRPBF-VB 是一款适用于高电流低电压应用的高性能N沟道MOSFET，凭借其优异的开关性能和低功耗特点，在电源开关、电机驱动、负载开关和电源保护等多个领域中具有广泛的应用潜力。
