--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRLR8113TRLPBF-VB 产品简介
IRLR8113TRLPBF-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,并利用 Trench 技术制造。它专为低压、高电流应用设计,提供了极低的导通电阻和出色的电流处理能力。这使得 IRLR8113TRLPBF-VB 在要求高效开关和高电流负载的电路中表现优异,能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2mΩ @ VGS = 10V
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理和开关电路**:
IRLR8113TRLPBF-VB 特别适用于电源管理应用,如 DC-DC 转换器和高效率开关电源。其超低的导通电阻和高电流承载能力确保了高效的电流开关,并最小化了功率损耗。该 MOSFET 在低压、高电流的电源模块中表现卓越,能有效提升电源系统的性能和可靠性。
2. **电机驱动**:
在电机驱动应用中,IRLR8113TRLPBF-VB 能够有效地控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和低 RDS(ON) 确保电机控制系统的高效和稳定,适合用于各种电机驱动场合,如直流电机和步进电机控制。
3. **负载开关**:
该 MOSFET 也非常适合用于负载开关应用,例如在高功率负载的照明控制和加热元件开关中。IRLR8113TRLPBF-VB 的低导通电阻和高电流承载能力确保了高效的负载开关,减少了能量损失,并提供了可靠的开关控制,适合用于各种高功率负载的应用环境。
4. **功率调节和保护电路**:
IRLR8113TRLPBF-VB 适合用于功率调节和保护电路,如过流保护和电压调节模块。其极低的 RDS(ON) 和高电流处理能力使其能够有效地防止电路过流或过电压的损害,同时提升系统的稳定性和安全性,保护电路组件免受潜在的损害。
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