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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLR3915TRPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR3915TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRLR3915TRPBF-VB MOSFET 产品简介

IRLR3915TRPBF-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO-252 封装,设计用于中高电压和大电流应用。其最大漏源电压 (VDS) 为 60V,栅极驱动电压 (VGS) 为 ±20V,能够满足各种电压和电流的要求。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 2.5V,能够在较低的栅极电压下可靠地开启。IRLR3915TRPBF-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 13mΩ @ VGS=4.5V 和 10mΩ @ VGS=10V,支持最大连续漏极电流 (ID) 达 58A。其采用 Trench 技术,提供了优异的开关性能和低功耗特性,适用于需要高电流和中等电压的应用场景。

### IRLR3915TRPBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO-252
- **沟道配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 13mΩ @ VGS=4.5V
 - 10mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 58A
- **功耗 (PD)**: 3W(估算,取决于散热条件)
- **技术类型**: Trench 技术
- **开关频率**: 适用于高频开关应用
- **结温范围**: -55°C 至 +150°C

### 应用领域与模块

1. **电源管理系统**  
  IRLR3915TRPBF-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其非常适合用于电源管理系统。其优异的开关性能能够提高电源转换效率,广泛应用于服务器电源、工业电源和通讯电源等领域。

2. **DC-DC 转换器**  
  在 DC-DC 转换器中,IRLR3915TRPBF-VB 的低 RDS(ON) 特性帮助降低功率损耗和提升转换效率。这使其适用于高功率的 DC-DC 转换器设计,如电动汽车电源模块、工业自动化电源和高效电源管理系统。

3. **电机驱动**  
  IRLR3915TRPBF-VB 的高电流能力和低导通电阻使其适用于电机驱动应用。在电动工具、电动汽车和机器人系统中,它能有效控制电机的电流,提供稳定的驱动性能。

4. **电池管理系统**  
  该 MOSFET 能够处理高电流并具有低导通电阻,适合用于电池管理系统中。它可以帮助管理电池的充放电过程,广泛应用于电动汽车电池、储能系统和可再生能源系统中。

5. **汽车电子**  
  IRLR3915TRPBF-VB 也适用于汽车电子系统中的各种负载开关和电源管理应用。其高电流能力和低功耗特性能够有效支持汽车电池管理、灯光控制和其他汽车电子设备的需求。

IRLR3915TRPBF-VB 的优良性能使其在高电流和中等电压的应用中表现出色,成为各类电子设备和电源管理系统中重要的开关元件。

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