--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 120A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRLR3717TRLPBF-VB MOSFET 产品简介
IRLR3717TRLPBF-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,封装为TO252。该MOSFET 设计用于高电流和低电压应用,其漏源极电压(VDS)为20V,最大漏极电流(ID)为120A。其栅源极电压(VGS)额定为±20V,适应广泛的驱动电压。IRLR3717TRLPBF-VB 使用Trench(沟槽)技术,具有超低导通电阻,在VGS为2.5V时为3.5mΩ,在VGS为4.5V时为2.5mΩ。这使其在高电流负载下具有极低的功耗和高效率,适合用于要求高电流处理的应用。
### IRLR3717TRLPBF-VB MOSFET 详细参数说明
- **器件类型**:N沟道MOSFET
- **封装**:TO252
- **配置**:单通道
- **漏源极电压 (VDS)**:20V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **开启电压 (Vth)**:0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3.5mΩ @ VGS = 2.5V
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**:120A
- **技术**:Trench沟槽技术
- **功耗**:低功耗,适合高电流应用
- **热阻**:优化的封装设计有助于高效的热管理,确保器件稳定性
### 应用领域和模块
1. **高效电源开关**:IRLR3717TRLPBF-VB 由于其极低的导通电阻和高电流处理能力,非常适合用于高效电源开关应用。在开关电源和电源管理模块中,该MOSFET 可以有效控制电源开关,降低功耗,提高系统效率。
2. **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器中,这款MOSFET 的低导通电阻使其能够提供稳定的电流控制,减少能量损失,从而提高转换效率。它适用于高功率转换器和高效能电源转换应用。
3. **电机驱动**:IRLR3717TRLPBF-VB 的高电流处理能力使其非常适合电机驱动系统,如电动工具、电动车和家用电器中的电机控制。其低导通电阻可以支持电机的高电流负载,确保电机的平稳运行。
4. **LED照明**:在LED照明系统中,MOSFET 可以作为开关元件,控制LED的电流。由于其超低导通电阻和高电流能力,该MOSFET 能够高效地驱动LED,提升亮度和系统效率。
5. **汽车电子**:该MOSFET 也适用于汽车电子中的电源开关和电流控制应用。例如,在汽车的电源管理系统中,IRLR3717TRLPBF-VB 可以实现高效的电流控制,提升车载电子设备的性能和可靠性。
IRLR3717TRLPBF-VB 的低导通电阻和高电流能力使其在这些领域中具有显著的优势,是处理低电压、高电流负载的理想选择。
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