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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLR3716-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR3716-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

**IRLR3716-VB** 是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO252封装,设计用于高电流和低电压的应用场合。它具有极低的导通电阻,最大漏源电压(VDS)为20V,栅极驱动电压范围为±20V。其阈值电压(Vth)为0.5~1.5V,导通电阻在2.5V栅极电压下为6mΩ,在4.5V栅极电压下为4.5mΩ,能够支持高达100A的漏极电流。IRLR3716-VB 使用Trench技术,以提供卓越的开关性能和低功耗特性,特别适用于对电流要求较高的应用。

### 二、详细参数说明

- **器件型号**: IRLR3716-VB
- **封装类型**: TO252
- **极性**: N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
- **最大功耗**: 2.5W(取决于散热条件)
- **最大结温 (Tj)**: 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**: 55nC
- **开关延迟时间**:
 - 上升时间 (tr): 35ns
 - 下降时间 (tf): 45ns

### 三、适用领域和模块

**IRLR3716-VB** 的优异性能使其在多个高电流和低电压应用中具有广泛的适用性:

1. **高效电源管理**:在高效电源管理系统中,如DC-DC转换器和电源开关,该MOSFET 的低导通电阻和高电流承受能力能够显著降低功耗,提高效率。它适合用于计算机电源、工业电源模块及各种高效电源解决方案。

2. **电机控制**:IRLR3716-VB 在电机驱动应用中表现出色,能够处理高电流的需求而保持低功耗。它适用于直流电机驱动、步进电机控制和其他需要高电流开关的电机控制系统。

3. **汽车电子**:在汽车电子应用中,如电动窗、座椅调节和其他电力驱动系统,IRLR3716-VB 提供稳定的开关性能和高电流承受能力。其低导通电阻确保了较低的功耗和更高的系统效率。

4. **LED驱动**:该MOSFET 适用于LED驱动应用,能够在低电压下提供高电流支持。它适合用于高亮度LED照明系统中,确保稳定的亮度输出和长寿命。

5. **高功率开关**:在需要高电流开关的场景中,如电池管理系统和高功率开关电路,IRLR3716-VB 提供了理想的解决方案。其高电流能力和低导通电阻使其能够有效地控制高功率负载。

总之,IRLR3716-VB 以其低导通电阻、高电流承载能力和高效的开关性能,在高效电源管理、电机控制、汽车电子、LED驱动和高功率开关等应用中表现突出。其设计旨在满足这些领域对高电流和低功耗的需求,为各种电子系统提供了高效、可靠的解决方案。

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