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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLR3715TRRPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR3715TRRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**IRLR3715TRRPBF-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封装为 TO252。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有极低的导通电阻和超高的电流承载能力,非常适合高效能和高可靠性的电路设计。其最大漏源电压(V_DS)为 20V,栅源电压(V_GS)为 ±20V,能够在低栅极驱动电压下提供卓越的导通性能。导通电阻(R_DS(ON))为 6mΩ(@V_GS=2.5V)和 4.5mΩ(@V_GS=4.5V),最大漏极电流(I_D)高达 100A,使其在高电流和低功耗应用中表现优异。

### 详细参数说明

- **封装**:TO252
- **配置**:单 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**:20V
- **栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **阈值电压 (V_th)**:0.5~1.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
 - 6mΩ @ V_GS=2.5V
 - 4.5mΩ @ V_GS=4.5V
- **最大漏极电流 (I_D)**:100A
- **技术**:Trench

### 应用领域和模块示例

**IRLR3715TRRPBF-VB** 的优良性能使其适用于多个领域和模块:

1. **电源管理**:
  - 在电源管理领域,特别是在高电流 DC-DC 转换器和电源调节模块中,该 MOSFET 的超低导通电阻和高电流能力能够显著提高能效,降低功耗和热量生成。这使其非常适合用于高效能电源管理和电池管理系统中,提高系统稳定性和整体性能。

2. **功率开关**:
  - 由于其高电流承载能力和低导通电阻,IRLR3715TRRPBF-VB 是功率开关应用中的理想选择,例如电动机驱动、电磁继电器和负载切换系统。其高电流处理能力和高导通效率可以确保高效的开关操作和负载控制,适应各种工业和消费电子应用中的高电流需求。

3. **汽车电子**:
  - 在汽车电子系统中,如电池管理系统、座椅调节器和电动窗,该 MOSFET 能够提供可靠的开关控制,并且能应对高电流负载。其高电流处理能力和低导通电阻适合在汽车环境中运行,确保汽车电子设备的高效能和长期耐用性。

4. **消费电子**:
  - 在消费电子产品中,例如智能手机、平板电脑和家用电器,IRLR3715TRRPBF-VB 的低导通电阻可以提高能效,减少功耗。特别是在对电源管理有严格要求的应用中,这款 MOSFET 能够显著提升设备的工作效率,延长电池寿命和整体使用寿命。

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