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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLR3715TRPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR3715TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRLR3715TRPBF-VB MOSFET 产品简介

IRLR3715TRPBF-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO-252 封装,专为低电压和高电流应用设计。其最大漏源电压 (VDS) 为 20V,栅极驱动电压 (VGS) 为 ±20V。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 在 0.5V 至 1.5V 之间,能够在较低的栅极电压下可靠地开启。IRLR3715TRPBF-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 6mΩ @ VGS=2.5V 和 4.5mΩ @ VGS=4.5V,支持最大连续漏极电流 (ID) 达 100A。它采用 Trench 技术,提供了优异的开关性能和低功耗特性,适用于需要高电流和低电压的应用场景。

### IRLR3715TRPBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO-252
- **沟道配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **功耗 (PD)**: 3W(估算,取决于散热条件)
- **技术类型**: Trench 技术
- **开关频率**: 适用于高频开关应用
- **结温范围**: -55°C 至 +150°C

### 应用领域与模块

1. **高电流开关电源**  
  IRLR3715TRPBF-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其非常适合用于高电流开关电源。它能够高效地处理大电流负载,减少功耗,广泛应用于计算机电源、服务器电源和工业电源系统中。

2. **DC-DC 转换器**  
  在 DC-DC 转换器中,IRLR3715TRPBF-VB 的低 RDS(ON) 特性帮助提高转换效率。其高电流能力使其适用于高功率的 DC-DC 转换器设计,如汽车电子和通信设备中的电源模块。

3. **电动工具和电池管理系统**  
  由于其能够承受高电流和低电压的特性,IRLR3715TRPBF-VB 适合用于电动工具和电池管理系统。它可以有效地控制电池的充放电过程,适用于电动工具、电动自行车和储能系统中。

4. **电机驱动应用**  
  在电机驱动应用中,IRLR3715TRPBF-VB 可以作为开关元件用于控制电机的电流。其高电流处理能力使其适用于直流电机和步进电机的驱动电路,如自动化设备和机器人系统。

5. **汽车电子**  
  在汽车电子系统中,IRLR3715TRPBF-VB 的高电流能力和低导通电阻使其适合用于汽车电源管理和负载开关。它能够高效地控制各种汽车电子设备,如车载电池管理系统、灯光控制和电动窗户。

IRLR3715TRPBF-VB 的低电压、低导通电阻和高电流处理能力使其在各种高电流、高效率需求的应用场景中表现优异,为需要高效开关和功率控制的系统提供了可靠的解决方案。

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