--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRLR3715TRPBF-VB MOSFET 产品简介
IRLR3715TRPBF-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO-252 封装,专为低电压和高电流应用设计。其最大漏源电压 (VDS) 为 20V,栅极驱动电压 (VGS) 为 ±20V。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 在 0.5V 至 1.5V 之间,能够在较低的栅极电压下可靠地开启。IRLR3715TRPBF-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 6mΩ @ VGS=2.5V 和 4.5mΩ @ VGS=4.5V,支持最大连续漏极电流 (ID) 达 100A。它采用 Trench 技术,提供了优异的开关性能和低功耗特性,适用于需要高电流和低电压的应用场景。
### IRLR3715TRPBF-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO-252
- **沟道配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=2.5V
- 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **功耗 (PD)**: 3W(估算,取决于散热条件)
- **技术类型**: Trench 技术
- **开关频率**: 适用于高频开关应用
- **结温范围**: -55°C 至 +150°C
### 应用领域与模块
1. **高电流开关电源**
IRLR3715TRPBF-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其非常适合用于高电流开关电源。它能够高效地处理大电流负载,减少功耗,广泛应用于计算机电源、服务器电源和工业电源系统中。
2. **DC-DC 转换器**
在 DC-DC 转换器中,IRLR3715TRPBF-VB 的低 RDS(ON) 特性帮助提高转换效率。其高电流能力使其适用于高功率的 DC-DC 转换器设计,如汽车电子和通信设备中的电源模块。
3. **电动工具和电池管理系统**
由于其能够承受高电流和低电压的特性,IRLR3715TRPBF-VB 适合用于电动工具和电池管理系统。它可以有效地控制电池的充放电过程,适用于电动工具、电动自行车和储能系统中。
4. **电机驱动应用**
在电机驱动应用中,IRLR3715TRPBF-VB 可以作为开关元件用于控制电机的电流。其高电流处理能力使其适用于直流电机和步进电机的驱动电路,如自动化设备和机器人系统。
5. **汽车电子**
在汽车电子系统中,IRLR3715TRPBF-VB 的高电流能力和低导通电阻使其适合用于汽车电源管理和负载开关。它能够高效地控制各种汽车电子设备,如车载电池管理系统、灯光控制和电动窗户。
IRLR3715TRPBF-VB 的低电压、低导通电阻和高电流处理能力使其在各种高电流、高效率需求的应用场景中表现优异,为需要高效开关和功率控制的系统提供了可靠的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12