--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**IRLR3714ZTRPBF-VB MOSFET 产品简介:**
IRLR3714ZTRPBF-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道 MOSFET,利用先进的 Trench 技术设计。这款 MOSFET 具有 30V 的漏极-源极电压 (VDS) 和 ±20V 的栅极-源极电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 为 1.7V。其导通电阻在 VGS = 10V 时为 7mΩ,在 VGS = 4.5V 时为 9mΩ,能够承载最大 70A 的连续漏极电流 (ID)。IRLR3714ZTRPBF-VB 的低导通电阻和高电流能力使其在高效能和高负载的应用中表现出色。
**详细参数说明:**
- **型号:** IRLR3714ZTRPBF-VB
- **封装类型:** TO252
- **通道配置:** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS):** 30V
- **栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 7mΩ @ VGS = 10V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 9mΩ @ VGS = 4.5V
- **连续漏极电流 (ID):** 70A
- **技术:** Trench
**应用领域及实例:**
1. **电源管理:**
IRLR3714ZTRPBF-VB 适用于高效电源管理系统,例如在 DC-DC 转换器中作为开关元件。由于其低导通电阻,它可以显著降低功率损耗,提高能效,使电源转换器更加高效和可靠。
2. **电动汽车:**
在电动汽车(EV)的电池管理系统和电机控制模块中,这款 MOSFET 可用于高电流开关和驱动应用。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够处理电动汽车中大电流和高功率负载,提供稳定的性能并减少热量产生。
3. **工业自动化:**
在工业自动化系统中,IRLR3714ZTRPBF-VB 可用于驱动电机和控制高电流负载。例如,在自动化生产线中的电机驱动控制中,它能够提供高效的开关性能,并确保系统的稳定运行。
4. **消费电子:**
在消费电子产品中,例如电源适配器和充电器中,这款 MOSFET 可以作为开关组件,用于控制高功率和高电流的电源输出。其低导通电阻有助于提高电源适配器的效率,减少热量产生,并延长产品寿命。
IRLR3714ZTRPBF-VB MOSFET 的低导通电阻和高电流能力使其在电源管理、电动汽车、电工业自动化以及消费电子领域中表现优异,为这些应用提供了高效、可靠的开关解决方案。
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