--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRLR3714TRPBF-VB MOSFET 产品简介
IRLR3714TRPBF-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,封装为TO252。该MOSFET 具有低导通电阻和高漏极电流能力,使其非常适合用于要求高效率和高电流处理的应用。IRLR3714TRPBF-VB 的漏源极电压(VDS)为30V,最大漏极电流(ID)为70A,栅源极电压(VGS)额定为±20V。该MOSFET 采用Trench(沟槽)技术,以提供出色的电流控制和效率。在VGS 为4.5V 时导通电阻为9mΩ,而在VGS 为10V 时导通电阻为7mΩ,确保在高电流负载下低功耗运行。
### IRLR3714TRPBF-VB MOSFET 详细参数说明
- **器件类型**:N沟道MOSFET
- **封装**:TO252
- **配置**:单通道
- **漏源极电压 (VDS)**:30V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **开启电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:70A
- **技术**:Trench沟槽技术
- **功耗**:低功耗,适合高电流应用
- **热阻**:优化的封装设计,有助于有效的热管理,提升器件稳定性
### 应用领域和模块
1. **高效电源开关**:IRLR3714TRPBF-VB 由于其低导通电阻和高电流能力,非常适合用于高效电源开关。例如,在开关电源模块中,该MOSFET 能够有效控制电源开关,减少功耗,提高系统效率。
2. **DC-DC转换器**:该MOSFET 在DC-DC转换器中可以提供稳定的电流控制。其低导通电阻有助于降低转换器的能量损耗,提高整体效率,适合于高功率和高效率的电源转换应用。
3. **电机驱动**:IRLR3714TRPBF-VB 适合用于电机驱动系统,如电动工具和汽车电机控制。其高电流处理能力可以支持大电流负载,确保电机驱动的稳定性和可靠性。
4. **LED照明**:在LED照明系统中,这款MOSFET 可以作为开关元件来控制LED的电流。其低导通电阻和高电流能力使得LED照明系统能够更高效地运行,提高亮度和可靠性。
5. **汽车电子**:在汽车电子设备中,IRLR3714TRPBF-VB 可以用于电源开关和电流控制应用。例如,在车载电源管理系统中,MOSFET 可以实现高效的电流控制和开关功能,适用于车载电子设备的电源控制。
IRLR3714TRPBF-VB 的高电流能力和低导通电阻使其在这些应用中表现出色,是处理中等电压和高电流负载的理想选择。
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