--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRLR3303TRPBF-VB MOSFET 产品简介
IRLR3303TRPBF-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它专为处理中等电压和高电流应用设计,提供了优异的开关性能和低导通损耗。该MOSFET 支持最高30V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),具有1.7V的栅阈值电压(Vth)。IRLR3303TRPBF-VB 的导通电阻为9mΩ(在VGS=4.5V时)和7mΩ(在VGS=10V时),能够处理高达70A的漏极电流。采用Trench(沟槽)技术,这款MOSFET 能够提供低导通损耗和高效的开关性能,适用于各种需要高电流和中等电压的应用场合。
### IRLR3303TRPBF-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 70A
- **技术类型**: Trench(沟槽)技术
- **最大功率耗散 (PD)**: 2.5W
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **封装引脚**: 三引脚(Drain, Gate, Source)
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**
- 在电源管理系统中,IRLR3303TRPBF-VB 是一种理想的开关元件,特别适用于高电流应用。它可以用作开关电源、开关适配器和电池管理系统中的开关元件。由于其低导通电阻和高电流承载能力,它可以有效提高电源效率和稳定性,减少功耗和热量。
2. **负载开关**
- 在负载开关应用中,IRLR3303TRPBF-VB 可以控制高电流负载的开关,如在家用电器、工业设备和汽车电子系统中。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够高效地开关负载,提高设备的运行可靠性和效率。
3. **电机驱动**
- IRLR3303TRPBF-VB 适用于电机驱动系统,作为电机控制中的开关元件。它能够在电动工具、电动汽车以及家用电器的电机驱动中提供高效的控制和调速,凭借其高电流处理能力和低导通电阻,实现高效的电机控制。
4. **DC-DC转换器**
- 在DC-DC转换器中,IRLR3303TRPBF-VB 能够高效地进行电压转换。作为开关元件,它可以应用于电压调节模块和电源管理系统中。其低导通电阻和高电流承载能力确保了电源转换的稳定性和高效性。
IRLR3303TRPBF-VB 是一款具有优异性能的N沟道MOSFET,适用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换器等多个领域,为电子设备提供高效、可靠的开关控制。
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