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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLR3303PBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR3303PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**IRLR3303PBF-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封装为 TO252。它采用 Trench 技术,具有极低的导通电阻和较高的电流承载能力,非常适合高效能和高可靠性的应用。其最大漏源电压(V_DS)为 30V,栅源电压(V_GS)为 ±20V,能够在低栅极驱动电压下提供优良的导通性能。该 MOSFET 的导通电阻(R_DS(ON))为 9mΩ(@V_GS=4.5V)和 7mΩ(@V_GS=10V),最大漏极电流(I_D)为 70A,适合用于高电流应用中,提高系统的效率和稳定性。

### 详细参数说明

- **封装**:TO252
- **配置**:单 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**:30V
- **栅源电压 (V_GS)**:±20V
- **阈值电压 (V_th)**:1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
 - 9mΩ @ V_GS=4.5V
 - 7mΩ @ V_GS=10V
- **最大漏极电流 (I_D)**:70A
- **技术**:Trench

### 应用领域和模块示例

**IRLR3303PBF-VB** 的性能特点使其适用于多种领域和模块:

1. **电源管理**:
  - 在电源管理系统中,如 DC-DC 转换器和电源调节模块,该 MOSFET 的低导通电阻和高电流能力能够有效提升能效,减少功耗和热量生成。这使得它非常适合用于高效能电源转换和电池管理应用,保证电源系统的稳定性和效率。

2. **功率开关**:
  - 由于其高电流承载能力和低导通电阻,IRLR3303PBF-VB 非常适合用于各种功率开关应用,如电动机驱动、电磁继电器开关和负载切换。它能处理高电流负载,并提供可靠的开关功能,提高系统的可靠性和性能。

3. **汽车电子**:
  - 在汽车电子系统中,如电池管理系统、电动窗、座椅调节器等,IRLR3303PBF-VB 能够提供可靠的开关控制,并应对高电流负载。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够在汽车环境中稳定运行,提升汽车电子设备的性能和耐用性。

4. **消费电子**:
  - 在消费电子产品中,例如智能手机、平板电脑和家用电器,IRLR3303PBF-VB 的低导通电阻可以提高设备的能效,减少功耗。尤其在对电源管理有严格要求的应用中,这款 MOSFET 能够提高设备的性能,延长电池寿命和整体使用寿命。

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