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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLR3105TR-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR3105TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 25mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRLR3105TR-VB MOSFET 产品简介
IRLR3105TR-VB 是一款高效的单N沟道功率MOSFET,封装为TO252。这款MOSFET 设计用于处理中等电压和电流应用,其漏源极电压(VDS)为60V,最大漏极电流为45A。其栅源极电压(VGS)额定为±20V。IRLR3105TR-VB 使用Trench(沟槽)技术,提供了低导通电阻(RDS(ON)),在VGS为4.5V时为30mΩ,VGS为10V时为25mΩ。该MOSFET 适用于需要高效率和稳定性的各种电子设备和电路设计。

### IRLR3105TR-VB MOSFET 详细参数说明
- **器件类型**:N沟道MOSFET
- **封装**:TO252
- **配置**:单通道
- **漏源极电压 (VDS)**:60V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **开启电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 30mΩ @ VGS = 4.5V
 - 25mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:45A
- **技术**:Trench沟槽技术
- **功耗**:适中的功耗,适合中等电压应用
- **热阻**:优化的封装设计有助于有效的热管理,确保器件的稳定性和可靠性

### 应用领域和模块
1. **电源开关**:IRLR3105TR-VB 的中等漏源极电压和低导通电阻使其非常适合用于电源开关应用,例如开关电源和电源管理模块。其高电流处理能力可以确保电源开关的高效和可靠性。

2. **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器中,该MOSFET 可以有效地控制电流,减少功耗,并提供稳定的电流输出。低导通电阻有助于提高转换效率和系统整体性能。

3. **电机驱动**:IRLR3105TR-VB 适合用于电机驱动应用,如电动工具和家用电器中的电机控制。其高电流处理能力可以支持电机的稳定运行,确保设备的可靠性。

4. **LED照明**:在LED照明系统中,IRLR3105TR-VB 可作为开关元件来控制LED的电流。其低导通电阻和高电流能力有助于提高LED照明系统的效率和亮度。

5. **汽车电子**:该MOSFET 也适用于汽车电子设备中的电源开关和电流控制。例如,在车载电源管理系统中,可以使用IRLR3105TR-VB 实现高效的电流控制和开关功能。

IRLR3105TR-VB 的高性能和可靠性使其在这些领域中表现出色,是处理中等电压和电流负载的理想选择。

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