--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRLR2905ZTR-VB MOSFET 产品简介
IRLR2905ZTR-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为处理中等电压和高电流应用设计。该MOSFET 支持最高60V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),其栅阈值电压(Vth)为2.5V。IRLR2905ZTR-VB 的导通电阻为13mΩ(在VGS=4.5V时)和10mΩ(在VGS=10V时),能够承受最大58A的漏极电流。它采用了Trench(沟槽)技术,提供了低导通损耗和优异的开关性能,适用于各种需要高电流和中等电压的应用。
### IRLR2905ZTR-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 58A
- **技术类型**: Trench(沟槽)技术
- **最大功率耗散 (PD)**: 2.5W
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **封装引脚**: 三引脚(Drain, Gate, Source)
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**
- IRLR2905ZTR-VB 在电源管理应用中,尤其是在需要处理高电流的情况下表现优异。它可以用作开关元件控制电源的开关,适用于开关电源、电源适配器和电池管理系统。它的低导通电阻和高电流处理能力有助于提高电源转换效率和系统稳定性。
2. **负载开关**
- 在负载开关应用中,IRLR2905ZTR-VB 能有效控制高电流负载,如在家用电器、工业控制系统和汽车电子设备中。它的高电流承载能力和低导通电阻能够实现高效的负载开关控制,提高设备的可靠性和性能。
3. **电机驱动**
- IRLR2905ZTR-VB 适合用于中高功率电机驱动系统。作为电机控制系统中的开关元件,它可以用于控制电机的启停和调速,广泛应用于电动工具、电动汽车和各种家电的电机控制中,提供高效且可靠的开关操作。
4. **DC-DC转换器**
- 在DC-DC转换器设计中,IRLR2905ZTR-VB 作为开关元件,可以有效地完成电压转换任务。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于电压调节模块和电源管理系统,确保稳定的电压输出和高效的功率转换。
IRLR2905ZTR-VB 是一款具有优异性能的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻和高电流处理能力,广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换器等多种场景,为各种电子设备提供可靠的开关控制。
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