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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLR230A-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR230A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRLR230A-VB MOSFET 产品简介

IRLR230A-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET,采用 TO-252 封装,专为处理高电压应用设计。其最大漏源电压 (VDS) 可达 200V,栅极驱动电压 (VGS) 为 ±20V。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 3V,确保在中等栅极电压下即可开启。IRLR230A-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 245mΩ,支持最大连续漏极电流 (ID) 达 10A。该 MOSFET 采用 Trench 技术,提供了可靠的开关性能和高效的功率管理能力,适用于各种高电压和高功率应用场景。

### IRLR230A-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO-252
- **沟道配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 245mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 10A
- **功耗 (PD)**: 2W(估算,取决于散热条件)
- **技术类型**: Trench 技术
- **开关频率**: 适用于中等频率开关应用
- **结温范围**: -55°C 至 +150°C

### 应用领域与模块

1. **高电压电源管理**  
  IRLR230A-VB 的高漏源电压使其非常适合用于高电压电源管理系统。它能够处理较大的电压范围,并提供稳定的开关性能,适用于高压电源转换器和电源保护电路中。

2. **工业功率开关**  
  在工业应用中,IRLR230A-VB 可以作为高电压功率开关使用。其较高的电压耐受能力和良好的开关性能使其适合用于工业电机驱动、负载开关和功率控制系统。

3. **高压直流电机驱动**  
  IRLR230A-VB 适合用于高压直流电机驱动应用。它能够有效地控制电机的开关和调速,适合用于需要高电压电源的电动汽车、机器人和工业自动化设备中。

4. **功率转换器**  
  在高压 DC-DC 转换器中,IRLR230A-VB 的高漏源电压和低导通电阻帮助提高转换器的效率。其稳定的开关性能和高电压耐受能力使其在需要高电压转换的场合表现优越,例如电力系统和高压电源适配器。

5. **电源保护电路**  
  IRLR230A-VB 可以用在电源保护电路中,作为过压保护和过流保护的开关元件。其高电压和电流处理能力确保了在电源异常情况下的可靠保护,适合用于电源保护模块和电池保护系统。

IRLR230A-VB 的高电压处理能力、稳定的开关性能和高功率管理能力使其在多个高电压应用中表现出色,为各种高功率需求提供了可靠的解决方案。

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