--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**IRLR230ATF-VB MOSFET 产品简介:**
IRLR230ATF-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术设计。这款 MOSFET 具有 200V 的漏极-源极电压 (VDS) 和 ±20V 的栅极-源极电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 为 3V。其导通电阻为 245mΩ(在 VGS = 10V),并且能够承载最大 10A 的连续漏极电流 (ID)。IRLR230ATF-VB 的高耐压和中等导通电阻使其特别适合于需要高电压和适中电流的应用场景。
**详细参数说明:**
- **型号:** IRLR230ATF-VB
- **封装类型:** TO252
- **通道配置:** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS):** 200V
- **栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 3V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 245mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID):** 10A
- **技术:** Trench
**应用领域及实例:**
1. **高电压电源开关:**
IRLR230ATF-VB 的 200V 耐压使其在高电压电源开关应用中表现出色。例如,在电源管理系统中的高压 DC-DC 转换器或高电压负载的开关控制中,该 MOSFET 能够有效地开关高电压电源,同时保持较低的功率损耗。
2. **工业设备:**
在工业控制和自动化系统中,IRLR230ATF-VB 适用于需要高电压和中等电流的开关应用。例如,它可以用于驱动工业电动机、继电器或其他高电压负载的控制。其高耐压和可靠的电流处理能力使其适合在严苛的工业环境中使用。
3. **电池管理系统:**
在电池管理系统中,该 MOSFET 可以用于高电压电池的开关控制。由于其 200V 的耐压能力,IRLR230ATF-VB 能够处理高电压电池的电流,同时提供稳定的开关性能和保护电池免受过载的影响。
4. **汽车电子:**
在汽车电子系统中,这款 MOSFET 可用于控制高电压电气设备,如电动座椅和高功率照明系统。它能够处理汽车电气系统中的高电压要求,同时提供可靠的开关功能,确保设备的正常运行。
IRLR230ATF-VB MOSFET 的高耐压和适中的导通电阻使其在高电压电源开关、工业设备、电池管理和汽车电子等领域中表现出色,为这些应用提供了可靠的高电压开关解决方案。
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